В статье предложен обзор литературных данных в области создания лавинных фотодио-дов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP.


Чтобы посмотреть этот PDF файл с форматированием и разметкой, скачайте его и откройте на своем компьютере.
Хакɭашɟɜ
ɍɫпɟɯи
пɪиклаɞной
ɮизики
ɬом
3,

2


оɛлаɫɬь
ɭмножɟния

0,5

-3
-InGaAs

ɫлой
поɝлощɟния
3

-InP
-InP
поɞложка


2,02,2

1,82,0
1,0-1,3
InGaAs

0,1

-InGaAs

4
-3
-InP
-InP


ɭмножɟния
оɛлаɫɬь

0,2
2,23,5
ɛɭɮɟɪныɟ
ɫлои
2550
*
ɛɭɮɟɪныɟ
ɫлои

2550
*
ɛɭɮɟɪныɟ
ɫлои
2550
*
0,73
поɝлощающий
ɫлой
0,81,5


1,0
15
поɞложка


Конɬакɬный
-InGaAs 0,02
мкм

-In
0,5

Пɟɪɟɯоɞная
оɛл
нɟлɟɝиɪ
. InGaAlAs
0,1

Оɛлаɫɬь
поɝлощɟния
излɭчɟния
нɟлɟɝиɪоɜ
. InGaAs 2,5
мкм


Пɟɪɟɯоɞная
оɛл
нɟлɟɝиɪ
. InGaAlAs
0,1


Оɛлаɫɬь
ɝɪаɞиɟнɬа
-AlInAs
0,1


Оɛлаɫɬь
ɭмножɟния
нɟлɟɝиɪоɜ
. AlInAs
0,2

Оɛлаɫɬь
ɝɪаɞиɟнɬа
-AlInAs 0,2
мкм

Ȼɭɮɟɪ
-In
0,5
мкм
поɞложка
-In
(100)

Ɋиɫ
Ɍипы
ɫɬɪɭкɬɭɪ

ɝɟɬɟɪоɫɬɭкɬɭɪа
InGaAs/InP
поɝлощɟния

ɝɟɬɟɪоɫɬɭкɬɭɪа
InGaAs/InP
ɛɭɮɟɪным
InGaAsP
ɞополниɬɟльным
InP
пɪɟɞоɬɜɪа
пɪоɛоя

ɝɟɬɟɪоɫɬɭкɬɭɪа
InGaAsP
InP;
ɫɬɪɭкɬɭɪа
InGaAs/InAlAs/InP
оɛлаɫɬью
InAlAs
ɫɬɪɭк
. 1,
коɬоɪой
пɪоиɫɯоɞиɬ
InGaAs
оɛлаɫɬь
ɭɫилɟниɟ
ɫозɞана
) [5].
оɛлаɫɬями
ɭмножɟния
(SAM).
поɝлощаɟɬɫя
InGaAs,
ɞыɪки
ɜыɫокий
коэɮɮициɟнɬ
ɭɞаɪной
ɜыноɫяɬɫя
InP-
пɟɪɟɯоɞ
ɭмножɟниɟ
Счиɬаɟɬɫя
ɝɟɬɟɪоɫɬɪɭкɬɭɪɟ
InP/InGaAs
ɪаɫположɟнным
InP,
полɭчиɬь
ɭмɟньшɟнный
мɟжɞɭзонноɝо
ɬɭннɟлиɪоɜания
ɫлɟɞɫɬɜиɟ
мɟньшɭю
ɜɟличинɭ
Ȼлаɝоɞаɪя
ɫɬɪɭкɬɭɪɟ
ɞоɫɬиɝаɟɬɫя
ɫни
жɟниɟ
ɬɟмноɜоɝо
поɜышɟниɟ
ɭɫилɟния
ɫɭщɟɫɬɜɭɟɬ
поɬɟнциальная
(0,36
InGaAs/InP
ɝɭɬ
накаплиɜаɬьɫя
ɞыɪки
ɫамым
ɭɜɟличиɜая
[6
8].
Чɬоɛы
мɟж
InGaAs
InP
ɫлой
InGaAsP
пɪо
мɟжɭɬочной
запɪɟщɟнной
зоны
ɫлоɟɜ
ɫоɫɬаɜа
Хакɭашɟɜ
изɝоɬаɜлиɜаюɬ
InGaAs/InP-
ɫɬɪɭкɬɭɪы
оɛлаɫɬями
ɭмножɟния
pnin
ɫложнɭю
p(i)nin
(SAGCM),
показаннɭю
Ⱦɪɭɝими
ɫлоɜами
ɞополниɬɟльная
ɭзкая
лаɜинная
оɛлаɫɬь
напɪяжɟнноɫɬи
элɟкɬɪичɟɫкоɝо
ɮоɪмиɪɭɟɬɫя
ɬакжɟ
как

ɫоɟɞинɟниɟ
InP.
оɛлаɫɬь
назыɜаɟɬɫя
оɛлаɫɬью
заɪяɞа
ɞоноɪоɜ
оɛɭɫлаɜлиɜаɟɬ
элɟкɬɪичɟɫкоɝо
оɛлаɫɬью
InP
поɝлощɟ
ɫоɟɞинɟния
InGaAs
чɟɬɜɟɪныɟ
моɝɭɬ
эпиɬакɫиаль
жиɞкоɮазной
эпиɬакɫиɟй
ɝазоɮазной
эпиɬакɫиɟй
молɟкɭляɪно
лɭчɟɜой
эпиɬакɫиɟй
пɪиɯоɞиɬ
налаɝаɬь
жɟɫɬкиɟ
оɝɪаничɟния
кажɞом
Оɞнако
жиɞкоɮазная
эпиɬакɫия
ɭɫɬɭпаɟɬ
молɟкɭляɪно
лɭчɟɜой
ɜозможноɫɬи
ɜыɪащиɜания
ɫлоɟɜ
ɜыɫокочиɫɬыɯ
ɫлоɟɜ
ɜыɫокой
ɬочноɫɬью
поɞɞɟɪжания
ɫлоɟɜ
плаɫɬин
ɞиамɟɬɪа
ɞɜɭɯ
пяɬɫɬɜɭɟɬ
ɜыɪащиɜанию
InP
ɍказанныɟ
мɟɬоɞы
ɞоноɪоɜ
10
ɞля
InP
10
0,53
0,47
ɪɟзɭльɬаɬы
ɛыли
полɭчɟны
лаɜинныɯ
[9]
ɝиɞɪиɞоɜ
[10],
чɬо
ɭказало
пɟɪɫпɟкɬиɜ
ɫозɞания
ɝɟɬɟɪопɟɪɟɯоɞаɯ
ɫамоɟ
ɫказаɬь
ɜыɪащиɜании
ɭмножɟниɟ
яɜляɟɬɫя
ɫлɭ
лаɜинный
ɭɫилɟнном
ɬокɟ
шɭма
назыɜаɟмоɝо
шɭмом
ɭмножɟния
Оɛычно
ɯаɪакɬɟɪи
зɭɟɬɫя
шɭм
ɮакɬоɪом
ɪазличныɟ
ɫозɞания
шɭмами
ɭмножɟния
напɪаɜлɟниɟм
ɭпо
ɭмножɟния
иɫпользоɜании
каɫкаɞныɯ
ɫɬɪɭкɬɭɪ
ɫɬɪɭкɬɭɪаɯ
ɫɜязью
мɟжɞɭ
каɫкаɞами
оɛɟɫпɟчиɜаɟɬɫя
пɪɟимɭ
щɟɫɬɜɟнноɟ
ɭмножɟниɟ
заɪяɞа
ɟɫли
��
ɭчаɫɬия
Лаɜин
ɭмножɟниɟ
ɭзкими
ɫлоями
ɝɟɬɟɪопɟɪɟɯо
Поɫлɟɞоɜаɬɟльно
ɞɪɟйɮɭя
каɫкаɞы
каɫкаɞɟ
иɞɟалɟ
ɫоɜɟɪшаɟɬ
ɭɞаɪной
ɪɟзɭльɬаɬɟ
ɪожɞаюɬɫя
Ионизация
ɫɬаноɜиɬьɫя
ɞɟɬɟɪминиɪоɜанной
ɫɭщɟɫɬɜɟнно
ɭмɟньшаɟɬɫя
ɜозможныɯ
ɜаɪианɬоɜ
ɫɭжаɟɬɫя
коэɮɮициɟнɬоɜ
ɭмножɟния
ɭмɟньшаɟɬɫя
шɭм
ɫозɞания
оɛɫɭжɞаюɬɫя
ɭжɟ
поɫлɟɞнɟɟ
имɟнно
ɫозɞания
эпиɬакɫиальноɝо
оɛоɪɭɞоɜания
ɜыɪащиɜания
ɫоɜɟɪшɟнныɯ
ɝɟɬɟ
полɭчɟниɟ
мноɝокаɫкаɞныɯ
пɟɪɫпɟкɬиɜным
ляɟɬɫя
ɝɟɬɟɪоɫɬɪɭкɬɭɪ
InGaAs/
InAlAs/InP (
InGaAs/InP
лаɫɬь
ɪазмножɟния
ɪаɫполаɝаɟɬɫя
InP,
ионизации
ионизации
замɟɬномɭ
шɭм
InGaAs/InAlAs/InP
ɭмножаɟмыми
ноɫиɬɟлями
ɪазмножɟниɟ
ɫлоɟ
InP,
ɫлоɟ
InAlAs.
Сооɬношɟниɟ
коэɮ
ɭɞаɪной
ионизации
ɜозɪаɫɬаɟɬ
шɭм
лаɜины
ɫнижаɟɬɫя
[11].
InGaAs/InAlAs/InP
ɭмножɟния
20,
пɪи
шɭма
коɬоɪыɯ
наɯоɞяɬɫя
4
7
заɜиɫимоɫɬи
[12].
ɛолɟɟ
пɭɛликации
[13]
ɜɟɞɟн
ɫɪаɜниɬɟльный
анализ
InGaAs/InP
InGaAs/InAlAs/InP,
ɞɟмонɫɬɪиɪɭɟɬ
пɪɟимɭщɟɫɬɜа
InGaAs/InAlAs/InP
наɛлюɞаɟɬɫя
ɫɬаɬьɟ
[14]
ɫооɛщаɟɬɫя
шɭма
ɛлаɝоɞаɪя
ɫɬɪɭкɬɭɪɟ
моɞɭляциɟй
ɪаɫпɪɟɞɟлɟния
ɭɞаɪной
ионизации
ɫоɜɟɪшɟнным
мɟɬоɞом
ɜыɪащиɜа
ɫɬɪɭкɬɭɪ
ɍɫпɟɯи
пɪиклаɞной
ɮизики
ɬом
3,
ɬɪɟɛоɜаниями
концɟнɬɪации
оɛɟɫпɟчиɜающими
ɜыɫо
кɭю
оɞноɪоɞноɫɬь
ɫлоɟɜ
ɜыɫокɭю
пɪоцɟɫɫа
Сɪаɜнɟниɟ
планаɪноɝо
мɟзаɫпоɫоɛа
изɝоɬоɜлɟния
ɝɟɬɟɪоɫɬɪɭкɬɭɪы
InGaAs/InP
изɝоɬаɜлиɜаюɬɫя
как
планаɪно
мɟзаɫɬɪɭкɬɭɪаɯ
pn
пɟɪɟɯоɞ
ɮоɪмиɪɭɟɬɫя
пɭɬɟм
ɭмножɟния
ɞиɮɮɭзиɟй
каɞмий
планаɪныɯ
ɮоɬоɞио
ɫозɞаɟɬɫя
ɭжɟ
ɞиэлɟкɬɪичɟɫкой
маɫкɟ
ɜпоɫлɟɞɫɬɜии
ɛыɬь
иɫпользоɜана
паɫɫиɜиɪɭю
количɟɫɬɜо
опɬимизации
ɫɬɪɭкɬɭɪ
[15, 16]:
поɫлɟɞоɜа
ɫоɫɬаɜɭ
эпиɬакɫиальныɯ
иɫɫлɟɞоɜанию
ɬакиɯ
ɫɬɪɭкɬɭɪаɯ
ɜыɞɟлɟ
акɬиɜной
оɛлаɫɬи
пɭɬɟм
ɜыɫокой
ɫɬаɛильноɫɬью
(Hamamatzu, Laser Component, Goodrich Corpora-
IAG 080X IAG200X IAG350X
G8931-04 VFI1-DAZA
min typ max min typ max min typ max min typ max min typ max min typ max
1000
1630
1100
1700
950
1700
800
1750
1550 1550 1550 10641550
78 80 82 200 205 210 350 352 355 50 80 200 400 250
Чɭɜɫɬɜиɬɟль
ноɫɬь
пɪи
=1, 1550
0,85 0,90 1,00 0,85 0,90 0,95 0,90 0,94 1,05 0,93 0,93 0,93 0,8 0,9
7,2
пɪи
Ɍɟмноɜой
пɪи
1 15 8 25 190 250 25 35 70 40 65 2,2
пɪяжɟниɟ
пɪи
55 70 43 55 75 30 45 60
Напɪяжɟниɟ
пɪоɛоя
min/max
40 65 80 50 63 83 35 55 70
40 60 30 37 40
Емкоɫɬь
0,32 0,35 0,4 1,5 2,0 4,1 4,6 0,6 1,25 2,5 0,35 0,45 0,23
Ɍɟмпɟɪаɬɭɪ
коэɮɮи
пɪяжɟния
пɪоɛоя
C 0,05 0,06 0,07 0,075 0,075 0,14 0,14 0,14 0,11 0,16
пɪо
пɭɫкания
пɪи
2,0 2,5 3,0 1 1,5 1,5 0,6 3,0 4,0 3,4
ноɫɬь
шɭма
пɪи
1/2
0,01 0,04 0,032 0,10 0,12 0,15

Хакɭашɟɜ
Планаɪный
ɫпоɫоɛ
изɝоɬоɜлɟния
изɝоɬоɜлɟния
ɞля
ɫозɞания
ɜажна
ɫɬɪɭкɬɭɪа
ɝɟɬɟɪоэпиɬакɫиальной
плаɫɬины
Эɬо
ɭмɟньшɟния
ɬɟм
ɛыɫɬɪоɞɟйɫɬɜия
значɟниɟ
поɜышɟния
коэɮɮициɟнɬоɜ
яɜляɟɬɫя
ɬɪɟɛоɜаниɟ
ɫɬɪɭкции
оɯɪанной
Наличиɟ
кольца
ɜиɞɟ
ɝлɭɛоко
ɞиɮɮɭнɞиɪоɜанной
яɜляɟɬɫя
оɫоɛɟнноɫɬью
ЛɎȾ
ɭмɟньшаɟɬ
пɟɪɟ
пɪɟɞоɬɜɪащаɟɬ
низкоɜольɬный
полɭчɟния
оɞноɪоɞноɫɬью
ɪаɫпɪɟɞɟлɟния
чɭɜɫɬɜи
ɮоɬочɭɜɫɬɜиɬɟльной
ɫиɫɬɟмɟ
InP/InGaAsP
ɫоɝлаɫоɜанными
ɬолщина
InP
ɜɟличиной
3
эпиɬакɫиальныɯ
InP
ɪазɭюɬɫя
ɞиɫлокации
ɭчɟɬом
нɟоɛɯоɞимой
ɝлɭɛина
ɞолжна
ɛыɬь
2
пɪоɛиɜноɝо
пɪяжɟния
пɟɪɟɯоɞа
поɜɟɪɯ
мɟньшɟй
чɟм
ɪаɞиɭɫа
ɜɪащɟния
поɜɟɪɯноɫɬи
InP
ɫозɞаɬь
ɭɫлоɜия
ɜɪащɟния
яɜлɟния
пɪɟɞоɬɜɪащɟния
иɫпользоɜаниɟ
ɝлɭɛокоɝо
пɟɪɟкɪыɜающɟɝо
оɛлаɫɬь
ɫиɫɬɟма
иɫпользоɜания
ɞополниɬɟльноɝо
InP c
ɭмɟньшɟнной
оɛлаɫɬи
пɪоɫɬɪанɫɬɜɟнноɝо
заɪяɞа
мɟɫɬɟ
иɫпользоɜаниɟ
кольца
пɟɪɟкɪыɜающɟɝо
акɬиɜнɭю
иɫпользоɜаниɟ
ɫиɫɬɟмы
оɛɟɫпɟчиɜающиɟ
пɪɟɞоɬɜɪащɟниɟ
импланɬация
поɫлɟɞɭющим
ɜыɫокоɬɟм
пɟɪаɬɭɪным
оɬжиɝом
низкоɬɟмпɟɪаɬɭɪная
ɞиɮɮɭзия
ɞɜɭɯɫɬаɞийная
ɞиɮɮɭзия
оɯɪан
ɝлɭɛокая
акɬиɜнɭю
поɜɟɪɯноɫɬи
ɫозɞания
заɝлɭɛлɟнной
c
поɫлɟɞɭющɟй
оɞноɫɬаɞийной
ɞиɮɮɭзиɟй
ɫочɟɬаниɟ
ɫɬанɞаɪɬной
ɞиɮɮɭзии
нɭю
ɞиɮɮɭзиɟй
плɟнкɭ
SiO
лаɫɬь
оɯɪанноɝо
Ƚлɭɛокоɟ
кольцо
оɛычно
оɛɪазɭɟɬɫя
линɟйным
оɛɟɫпɟ
нɟм
значɟниɟ
напɪяжɟния
акɬиɜной
оɛлаɫɬи
ɪɭɟɬɫя
пɟɪɟɯоɞ
полɭчɟны
ɭжɟ
ɞиɮɮɭ
каɞмия
цинка
оɛлаɫɬи
Ⱦиɮɮɭзия
ɫлɟɞɭющиɯ
ɭɫлоɜияɯ
ампɭлɟ
Zn
ɭɫɬаноɜкɟ
MOC-
ɝиɞɪиɞной
цинка
Zn
ɪаɫпылɟнноɝо
поɜɟɪɯноɫɬь
плаɫɬины
мɟɬоɞом
ɪɟзиɫɬиɜноɝо
поɫлɟɞɭющим
ɛыɫɬɪым
ɬɟɪмичɟɫким
жиɝом
SiO
линɟйныɯ
пɟɪɫпɟкɬиɜным
импланɬация
ɝлɭɛина
моɝɭɬ
ɭɫɬа
ɜɟличины
оɛлɭчɟния
[18].
ɫɟчɟниɟ
ЛɎȾ
ɪаɫɫмаɬɪиɜаɟмой
пɪɟɞɫɬаɜлɟно
ɫɬаɬьи
ɫооɛщаɟɬɫя
ɫɬɪɭкɬɭɪы
пɪоɜɟɞɟны
иɫпыɬания
ɞɟмонɫɬɪиɪɭюɬ
защиɬно
[18].
Начиная
ɟщɟ
70-
изɭчалаɫь
ɜозможноɫɬь
ɞля
импланɬа
[19
21].
ɫɬɪɭкɬɭɪа
кольца
пɪɟɞпочɬиɬɟльным
ɛокоɜым
(PLEG)
как
ɫооɛщаɟɬɫя
ɫɬаɬьи
[22],
ɭлɭчшɟния
ɯаɪакɬɟ
кольца
планаɪныɯ
низким
ɪаɫпɪɟɞɟлɟния
ɫлɭжиɬ
ɞля
ɭɫɬɪанɟния
кɪаɟɜоɝо
ɝлɭɛокоɝо
оɯɪанноɝо
кольца
ɫчɟɬ
ɭмɟньшɟния
кɪиɜизны
оɛɟɞнɟния
Сɬɪɭкɬɭɪа
ɜыполнялаɫь
ɛɟɪиллия
ɪазличныɯ
ɪɟжимаɯ
поɫлɟɞɭющим
оɬжиɝом
ɍɫпɟɯи
пɪиклаɞной
ɮизики
ɬом
3,
-InP
-InP
-InGaAs
-InP
-InGaAsP


-InP
-InP
-InGaAs
-InP
-InGaAsP

-InP
-InP
-InGaAs
-InP
-InP
-InP substrate
-InP buffer
-InGaAs absorption
-InP cap
-InP diffused region
-InP field control
-InGaAsP grading
SiN
passivation
-contact metallization

-InP
-InGaAs
-InP
Ɍипы
оɯɪанныɯ

попɟ
ɫɟчɟниɟ
ɫочɟɬании
поɜɟɪɯноɫɬным
In
ɫɟчɟниɟ
пɪɟɞпочɬиɬɟльным
ɪаɫшиɪɟниɟм
(PLEG);

попɟɪɟчноɟ
ɫɟчɟниɟ

оɜанной
ɞɜойной
ɮɮɭ
зии
ɞиɮɮɭзия

ɞиɮɮɭ
ɞополниɬɟльной
защиɬой
ɞиɮɮɭзии
пɪоɮилиɪоɜаниɟм
pn-

ɫɟчɟниɟ
оɞноɫɬаɞийной
ɞиɮɮɭзиɟй
ɫчɟɬ
ɭɝлɭɛлɟ
Хакɭашɟɜ
пɟɪɜая
520
ɬɟчɟниɟ
чаɫа

ɬɟчɟниɟ
Сɬɪɭкɬɭɪа
ɞиɮɮɭзиɟй
коɬоɪая
ɭɫилɟниɟ
пɪɟɞɫɬаɜ
ɫɬɪɭкɬɭɪа
оɛъɟɞиняющая
конɫɬɪɭкцию
плаɜающɟɝо
кольца
защиɬой
оɛɪазɭɟмой
ɫчɟɬ
ɞиɮɮɭзиɟй
пɭɬɟм
300-
низкоɬɟмпɟɪаɬɭɪ
ɞиɮɮɭзии
поɫлɟɞɭющɟй
ɞиɮɮɭзиɟй
Полɭчаɟмый
плаɜный
ɜмɟɫɬɟ
плаɜающими
оɛɪазɭɟɬ
наɞёжнɭю
конɫɬɪɭкцию
ɭмножɟния
85,
[17].
позɞнɟй
ɫɬаɬьɟ
[27]
ɬɟоɪɟɬичɟɫкиɟ
экɫпɟɪимɟнɬальныɟ
иɫɫлɟɞоɜания
ɞиɮɮɭзии
кольца
(FGR).
ɞɟмонɫɬɪиɪɭюɬ
жиɬɟльный
иɫпользоɜания
ɫɬɪɭкции
Оɫоɛɟнноɫɬью
плаɜающɟɝо
яɜляɟɬɫя
замɟɬноɝо
ɭɜɟличɟния
ёмкоɫɬь
пɪиɛоɪа
как
поɫлɟɞоɜаɬɟльно
акɬиɜным
ɜающиɟ
кольца
ɮоɪмɭ
минимизации
ёмкоɫɬи
ɜноɫимɭю
ɜɪɟмɟн
заɬɪаɬы
ɫɜязанныɟ
ɫɜои
оɝɪаничɟния
пользоɜаниɟ
нɟɫколькиɯ
ɫооɛщаɟɬɫя
полɭчɟнии
пɟɪɟɯоɞа
ɝлɭɛинɟ
пɭɬɟм
ɞиɮɮɭзии
планɬации
пɪоиɫɯоɞиɬ
плɟнки
SiO
[28],
ɫчɟɬ
ɬɪаɜлɟния
ɭɝлɭɛлɟния
0,3
эпиɬакɫиальном
InP [29].
конɮи
ɝɭɪации
pn
ɞɜɭɫɬаɞийной
ɞиɮɮɭзии
Альɬɟɪнаɬиɜой
ɞиɮɮɭзии
ляɟɬɫя
оɞноɫɬаɞийная
ɞиɮɮɭзия
InP
заɝлɭɛ
цɟнɬɪальной
ɮоɪмиɪɭɟɬɫя
ɝлɭɛокий
pn
оɛлаɫɬи
оɯɪанноɟ
Ƚлɭɛина
3000 ,
оɫɭщɟ
ɫɬɜляɟмая
мɟɬоɞом
нɟкоɬоɪыɟ
ниɯ
[22, 25,
27, 28, 30
36]
пɪɟɞɫɬаɜлɟны
ɬаɛл
ɫɬаɬьяɯ
пɭɛликɭɟɬɫя
чаɫɬичная
поɫлɟɞоɜаɬɟльноɫɬи
опɟɪаций
Ɋɟжимы
ɮоɪмиɪоɜания
оɯɪанноɝо
кольца
Оɬжиɝ
Лиɬɟɪаɬɭɪа
, ke
1 60 310
2 110 510
ампɭлɟ
пɪиɫɭɬɫɬɜии
кɪаɫноɝо
ɮоɫɮоɪа
[30]
3 120 510
[31]
4 140 510
650 C 20
ампɭлɟ
пɪиɫɭɬɫɬɜии
ɮоɫɮоɪа
[32]
5 150 510
750 C 20
ампɭлɟ
пɪиɫɭɬɫɬɜии
ɮоɫɮоɪа
[22]
700 C 20
ɫɬɟкла
(PSG),
ɬолщиной
100
[33]
7 100140 510
700 C 20
ɫɬɟкла
(PSG),
ɬолщиной
100
[34]
SiO
InP 450500 C
иɫɬочник
[35]
Ⱦиɮɮɭзия
Ɍɟмпɟɪаɬɭɪа
Лиɬɟɪаɬɭɪа
Ⱦиɮɮɭзия
SiO
500 (
ɪаɫпылɟниɟ
ампɭлɟ
[28]
430 C 300
чаɫоɜ
Ⱦиɮɮɭзия
ампɭлɟ
[36]
435 C 140
чаɫоɜ
[25]
520 C 1
чаɫ
[26]
ɍɫпɟɯи
пɪиклаɞной
ɮизики
ɬом
3,
Паɫɫиɜация
поɜɟɪɯноɫɬи
ɜажным
яɜляɟɬɫя
паɫɫиɜация
ɭлɭчшиɬь
наɞɟжноɫɬь
),
поɜыɫиɬь
поɜɟɪɯноɫɬи
значиɬɟльной
заɜиɫиɬ
ɜыполни
ɞɜойныɯ
чɟɬɜɟɪныɯ
ɫоɟɞинɟний
0,53
0,47
Оɛнаɞɟжиɜающиɟ
ɪɟзɭльɬаɬы
полɭчɟны
низко
ɬɟмпɟɪаɬɭɪноɝо
(250
350
плазмɟнноɝо
оɫажɞɟния
паɪоɜой
ниɬ
кɪɟмния
(SiN
маɫкиɪɭющɟɝо
ɞля
ɞиɮɮɭзии
цинка
каɞмия
ɫлɭчаɟ
In
0,53
0,47
ɫлɭчаɟ
ɜаɪианɬаɯ
ɫлɟɞɭɟɬ
заɝɪязнɟ
ɜоɞяным
[37].
Заключɟниɟ
анализа
ɫɬаноɜиɬɫя
чɬо
чаɫɬь
пɪɟɞɫɬɜлɟнной
лиɬɟɪаɬɭɪы
пɪɟимɭщɟɫɬɜɟнно
заɪɭɛɟжная
лиɬɟɪаɬɭɪа
поɫɜящɟна
оɫоɛɟнноɫɬям
ɫɜязанным
ɫɬɪɭкɬɭɪой
ɜɪɟмя
пɪоɜɟɞɟния
ɪɟжимам
ɫозɞания
InGaAs/InP
ɞоɫɬаɬочно
ɫɜɟɞɟния
ɜɫɬɪɟчаюɬɫя
ɫɬаɬьяɯ
напɪаɜлɟния
ɞиа
ɞлин
0,91,7
ɫлɟɞɭющиɯ
эпиɬакɫиальноɝо
ɝɟɬɟɪоэпиɬакɫиальныɯ
ɫɬɪɭкɬɭɪ
InGaAs/InP
ɬɪɟɛɭɟмыми
ɫлоɟɜ
низкоɬɟмпɟɪаɬɭɪноɝо
плазмоɯимичɟɫкоɝо
оɫажɞɟния
паɫɫиɜиɪɭющɟɝо
маɫкиɪɭющɟɝо
SiNx
ɛɭɟмыми
чиɜающɟй
минимальныɟ
ɭɬɟчки
планаɪной
ɞиɮɮɭзии
эпиɬакɫиальный
InP
ɬополоɝии
эпиɬакɫиальном
InP,
пɪɟɞоɬɜɪащающиɯ
ɭказанныɯ
заɞач
оɛɟɫпɟчиɬь
оɬɟчɟɫɬɜɟнныɯ
изɝоɬоɜлɟния
лаɜинныɯ
ɞиапазонɟ
ɜолн
ЛИɌЕɊАɌɍɊА
//
J. Appl. Phys.
1986.
Ɏилачёɜ
Ɍаɭɛкин
Ɍɜɟɪ
ɞоɬɟльная
ɮоɬоэлɟкɬɪоника
Ɏизмаɬкниɝа
Капаɫɫо
.,
ɬичɟɫкой
Ɏоɬопɪиɟмники
.:
Takanashi Y., Kawashima M., Horikoshi Y.
// J. Appl.
Phys. 1980. No. 19. P. 693.
Nishida K, Taguchi K., Matsumoto Y.
// J. Appl. Phys.
1979. No. 35. P. 251.
Matsumoto Y., Akida
Хакɭашɟɜ

Приложенные файлы

  • pdf 15009230
    Размер файла: 438 kB Загрузок: 1

Добавить комментарий